電子封裝用AlN燒結工藝及機理-《南昌大學》2011年碩士論文
氮(dan)化(hua)鋁(lv)陶瓷(ci)常壓(ya)燒結(jie)(jie)致密(mi)化(hua)抗(kang)水性(xing)自擴散系數(shu)小,通常需要熱壓(ya)燒結(jie)(jie)才(cai)能制備出高致密(mi)的氮(dan)化(hua)鋁(lv)陶瓷(ci)2.2實驗(yan)儀器設備和原(yuan)料31-322.3實驗(yan)方(fang)法(fa)32-332.3。
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氮化鋁陶(tao)瓷導熱性能(neng)良好,是集成電路基板和電子封裝的(de)理(li)想材料。但氮化鋁為強共價鍵(jian)結合物,熔(rong)點高,自擴散系數小(xiao),通常需要熱壓燒結才能(neng)制備(bei)出(chu)高致密的(de)氮化鋁陶(tao)瓷。并且(qie)。
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氮(dan)化鋁(lv)(AlN)燒(shao)結(jie)爐(lu)溫度(du)均(jun)勻性批量(liang)生產(chan)《電子工業專用設備(bei)》2010年06期(qi)加入收藏投稿(gao)氮(dan)化鋁(lv)尤其(qi)是在(zai)氮(dan)化鋁(lv)陶瓷批量(liang)生產(chan)過程中,陶瓷燒(shao)結(jie)爐(lu)的(de)溫度(du)不均(jun)勻。
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但近(jin)幾年國際上(shang)很多國家在(zai)重(zhong)視AlN基(ji)片(pian)材料研發工作(zuo)的同時,對(dui)氮化鋁陶瓷燒結爐的制備(bei)也(ye)越(yue)來越(yue)重(zhong)視,由此孕(yun)育出一些專業的氮化鋁陶瓷燒結設備(bei)制造(zao)商(shang),尤(you)其是美(mei)國和(he)日本(ben)。
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本文通過使用(yong)Y2O3、Li2CO3、Dy2O3、CaF2、CaO作(zuo)為(wei)添加劑(ji),研究(jiu)不(bu)同(tong)添加劑(ji)對注射成型低溫(wen)燒結AlN提高致密度和熱導率的作(zuo)用(yong)。實驗結果(guo)表明,使用(yong)Li2CO3,CaF2和Y2O3。
氮化鋁無壓燒結-陳衍春-豆丁網
采用微波高溫(wen)燒(shao)結工藝(yi),制備(bei)了致密的AlN陶(tao)瓷(ci),并(bing)初步探討了微波燒(shao)成環(huan)境對燒(shao)結體燒(shao)結陶(tao)瓷(ci)加工陶(tao)瓷(ci)相陶(tao)瓷(ci)量塊陶(tao)瓷(ci)英語陶(tao)瓷(ci)機械陶(tao)瓷(ci)件陶(tao)瓷(ci)帽陶(tao)瓷(ci)設備(bei)。
注射成型氮化鋁陶瓷低溫燒結的研究-維普網-倉儲式在線作品
氮化鋁燒結(jie)級AlN-010-A1S產品(pin)AlN-010-A1S氮化鋁粉體經(jing)過(guo)成型(xing)燒結(jie)程序制成:用(yong)於射(she)頻IC、高(gao)功率IC、LED晶片載板(ban),高(gao)導熱(re)(re)電(dian)子基板(ban),LED路燈(deng)熱(re)(re)電(dian)燈(deng)板(ban),高(gao)導熱(re)(re)共燒陶瓷。
AlN陶瓷-學術百科-知網空間
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微波(bo)燒(shao)結(jie)(jie)設備主(zhu)要應(ying)用于燒(shao)結(jie)(jie)各種(zhong)高品質(zhi)的陶(tao)(tao)瓷、氮(dan)化(hua)硅、碳(tan)化(hua)硅、氧化(hua)鋁(lv)、氮(dan)化(hua)鋁(lv)、氧化(hua)鋯等;燒(shao)結(jie)(jie)電(dian)子(zi)陶(tao)(tao)瓷器件:PZT壓電(dian)陶(tao)(tao)瓷、壓敏電(dian)阻等。所謂微波(bo)燒(shao)結(jie)(jie)或微波(bo)燃燒(shao)合(he)成。
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供應:燒結氮化鋁(lv)(工(gong)藝技術資(zi)料配方圖紙參數)光盤當前(qian)價格:200.00元1-BG52096含碳(tan)的(de)氮化鋁(lv)燒結體(ti)以及用于半導(dao)體(ti)制造檢測設(she)備(bei)的(de)陶瓷基材2-BG。
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一(yi)種氮化鋁陶瓷的低(di)溫燒(shao)結,包括氮化鋁起始粉(fen)(fen)料選(xuan)擇,添加物的選(xuan)擇以(yi)及(ji)燒(shao)結工藝參數的選(xuan)擇。其特征(zheng)在于:(1)以(yi)碳熱還原法(fa)及(ji)高溫自蔓(man)延合(he)成法(fa)制備的AlN粉(fen)(fen)體為起始。
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微波燒(shao)結設備紙箱(xiang)刀具綠(lv)碳化(hua)硅砂倒(dao)角刀具優質刀具泰珂(ke)洛刀具導(dao)熱(re)(re)/導(dao)熱(re)(re)粉/氮(dan)化(hua)鋁/氮(dan)化(hua)鋁粉導(dao)熱(re)(re)/導(dao)熱(re)(re)粉/氮(dan)化(hua)鋁/氮(dan)化(hua)鋁粉填(tian)充/填(tian)充劑/。
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本發(fa)明目的是提(ti)供一(yi)種(zhong)能保持(chi)10#+〔8〕Ω.cm或更大(da)的體積(ji)電阻率的氮化鋁燒(shao)結體,能保證(zheng)覆蓋能力,大(da)的輻射熱量和用溫度顯示(shi)器測定時的準(zhun)確(que)度。本發(fa)明的含碳氮化。
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一種(zhong)氮(dan)化鋁燒結體,其特征在于包含1-10%(重(zhong)量)從周(zhou)期表Ⅲa族元素、Ca、Sr、Ba中選擇的少。
氮化鋁陶瓷的低溫燒結
華(hua)順系列陶瓷(ci)覆銅板(ban)(氮化鋁、氧(yang)化鋁、氮化硅)燒結爐廣泛應用於陶瓷(ci)覆銅板(ban)(DBC0在(zai)保護氣氛中(zhong)的(de)鍵合(he)、熱(re)處理等工序。設備針對(dui)陶瓷(ci)復合(he)的(de)特殊工藝特點設計了專有的(de)。
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氮化鋁燒結體及其制造方法-96190015-錢眼
[圖文]3.2.5高(gao)壓設備的高(gao)精度控制(zhi)(zhi)系(xi)統3.2.6腔體介質(zhi)材料的選(xuan)擇3.2.7加熱源石(shi)墨3.3高(gao)壓燒結(jie)(jie)腔體設計3.4高(gao)壓燒結(jie)(jie)AlN陶瓷制(zhi)(zhi)備工藝流程(cheng)3.4.1高(gao)壓燒結(jie)(jie)AlN。
氮化鋁陶瓷覆銅板設備及工藝提供工業電爐-中國供應商
論(lun)文天下提供的(de)<AlN粉(fen)末的(de)制備、低溫(wen)燒(shao)結(jie)及(ji)其注(zhu)射成(cheng)形技術(shu)的(de)研究(jiu);論(lun)文包括(kuo)氮化鋁陶(tao)瓷材(cai)料注(zhu)射成(cheng)形低溫(wen)燒(shao)結(jie)復合陶(tao)瓷制備低溫(wen)燒(shao)結(jie)注(zhu)射等其他相關內容論(lun)文。
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本發(fa)明提供一種高純度氮化(hua)(hua)鋁燒結(jie)(jie)體,其在(zai)氮化(hua)(hua)鋁燒結(jie)(jie)體制造時(shi),有效地除去原(yuan)料粉末(mo)中所含的(de)(de)氧(yang)化(hua)(hua)物(wu),且通過原(yuan)料粉末(mo)中所含的(de)(de)氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)與燒結(jie)(jie)助劑反應來(lai)防止生成的(de)(de)復合氧(yang)化(hua)(hua)。
氮化鋁陶瓷燒結質量管理(2書+2光盤)-圖書價格:290-理科工程技術
3.2.5高(gao)(gao)壓設備(bei)的高(gao)(gao)精度控制(zhi)系統(tong)3.2.6腔體介質材料的選擇3.2.7加熱源(yuan)石墨3.3高(gao)(gao)壓燒結(jie)腔體設計3.4高(gao)(gao)壓燒結(jie)AlN陶(tao)瓷制(zhi)備(bei)工(gong)藝流程(cheng)3.4.1高(gao)(gao)壓燒結(jie)AlN。
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熱壓燒(shao)結(jie)AlN陶瓷(ci),以(yi)自蔓延(yan)高(gao)溫合(he)成(SHS)的AlN粉體為原料(liao),以(yi)Y2O3-B2O3-CaF2和(he)YF3-B-CaF2系為燒(shao)結(jie)助劑(ji)(ji),采(cai)(cai)用(yong)熱壓燒(shao)結(jie)工藝制(zhi)備AlN陶瓷(ci)。結(jie)果表明,采(cai)(cai)用(yong)燒(shao)結(jie)助劑(ji)(ji),在。
AlN粉末的制備低溫燒結及其注射成形技術的研究-收費碩士博士
本論文探(tan)索了(le)AlN陶(tao)瓷(ci)的燒(shao)結技(ji)術(shu),利用本實驗室原位合成技(ji)術(shu)合成的AlN粉末(mo)制備出(chu)了(le)高致密(mi),高導熱的AlN陶(tao)瓷(ci)。研(yan)究了(le)AlN陶(tao)瓷(ci)的常壓燒(shao)結技(ji)術(shu)。通過熱力學條件和相圖的。
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熱壓燒結AlN陶瓷-熱壓燒結AlN熱導率顯微結構
研磨設備(bei);壓(ya)制(zhi)和燒(shao)(shao)結設備(bei);磨刷輪;鉆頭環(huan);電子元(yuan)器件(jian);粉(fen)體(ti)材料;氮化鋁(lv)基板;拋光夾具;主(zhu)營行業:研磨設備(bei);壓(ya)制(zhi)和燒(shao)(shao)結所在地:上(shang)海上(shang)海市長寧區天山供應(ying)產品:。
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41、含碳(tan)的氮(dan)(dan)化鋁燒結體以及(ji)用(yong)于半導體制造(zao)檢測設(she)備的陶(tao)(tao)瓷(ci)基材(cai)收錄(lu)氮(dan)(dan)化鋁陶(tao)(tao)瓷(ci)相關(guan)期刊文獻(xian)151項1、海門建成氮(dan)(dan)化硅陶(tao)(tao)瓷(ci)基地2、高壓(ya)氮(dan)(dan)氣中自蔓延燃燒合成氮(dan)(dan)化鋁。
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抗折(zhe)強(qiang)度(du)高(gao)(gao),可以常壓在1600°C燒結,是一(yi)種(zhong)高(gao)(gao)功率(lv)集成電(dian)路基片的未來使用(yong)材(cai)料晉盈科技發(fa)展(zhan)有(you)限公司(si)樂意提供(gong)氮化鋁AlN整線(xian)設備,研發(fa)生產光傳輸特性(xing)優良的基片。
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32CN00809591.4半導體(ti)加工(gong)設備(bei)(bei)的防腐組件及其制造方法33CN02106821.6用于半導體(ti)和功率模件的絕緣(yuan)襯(chen)底(di)板(ban)34CN02115663.8放電等離(li)子(zi)燒結法制備(bei)(bei)氮化鋁透明(ming)陶(tao)瓷35。