SiC晶片的加工工程_百度知道
SiC單(dan)晶(jing)材料的(de)硬度及脆性大,且化(hua)學穩定性好,故如(ru)何獲得高平(ping)面精度的(de)無損傷(shang)晶(jing)片(pian)表面已成為其(qi)廣(guang)泛應用所必(bi)須解決的(de)重要問題。本(ben)論文采用定向切(qie)割晶(jing)片(pian)的(de)方(fang)法(fa),分別研究(jiu)了。
SiC晶片加工工藝及其對晶片表面的損傷-中國論文下載_上學吧
摘要(yao):SiC單(dan)晶(jing)的材質(zhi)既(ji)硬且脆(cui),加(jia)工難度(du)(du)很大。本(ben)文(wen)介紹了加(jia)工SiC單(dan)晶(jing)的主要(yao)方(fang)法(fa),闡述了其加(jia)工原理、主要(yao)工藝(yi)參數對加(jia)工精(jing)度(du)(du)及(ji)效率(lv)的影響,提(ti)出了加(jia)工SiC單(dan)晶(jing)片今(jin)后。
SiC單晶片加工技術的發展_百度文庫
SiC機械密封環表面微織構(gou)激(ji)光(guang)(guang)加工(gong)工(gong)藝符永宏(hong)祖權紀敬(jing)虎楊東燕符昊摘要:采用聲光(guang)(guang)調Q二極管泵浦Nd:YAG激(ji)光(guang)(guang)器,利(li)用"單脈沖同點(dian)間(jian)隔多次"激(ji)光(guang)(guang)加工(gong)工(gong)藝,。
俺的SIC-R-WildChalice狂野卡里斯
由于SiC硬(ying)度非常高,對(dui)單(dan)晶后(hou)續的(de)加工造成很多困難,包括切割和(he)磨拋.研究發(fa)現利(li)用圖中(zhong)顏色較深(shen)的(de)是摻氮條(tiao)紋,晶體生長45h.從上述移動坩堝萬方數據(ju)812半導體。
SiC單晶片加工技術的發展-《新技術新工藝》2009年06期
摘要:SiC陶瓷(ci)以其優(you)異的(de)(de)性能得到(dao)廣(guang)泛的(de)(de)應用,但是其難以加工的(de)(de)缺(que)點限(xian)制了(le)(le)應用范圍(wei)。本(ben)文對磨削方法加工SiC陶瓷(ci)的(de)(de)工藝參數(shu)進(jin)行了(le)(le)探討,其工藝參數(shu)為組合:粒度w40#。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-《排灌機械工程學報》2012
2013年(nian)10月24日-LED半導體照(zhao)明(ming)網(wang)訊日本上(shang)市(shi)公司薩姆肯(Samco)發(fa)布(bu)了新型晶片盒生產(chan)蝕刻系統(tong),處理(li)SiC加(jia)工,型號為RIE-600iPC。系統(tong)主(zhu)要應用在碳化硅功率儀器平面加(jia)工。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-豆丁網
2013年10月(yue)24日-日本上市(shi)公司薩姆肯(Samco)發布了新型(xing)(xing)晶片盒生產(chan)蝕刻系統(tong),處(chu)理SiC加(jia)工,型(xing)(xing)號為RIE-600iPC。系統(tong)主要應用在碳(tan)化硅(gui)功(gong)率儀器平面加(jia)工、SiCMOS結構槽刻。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-CrystalGrowthandRaw
金剛石線鋸SiC表面裂(lie)紋加(jia)工質(zhi)量摘要:SiC是第三(san)代半導體(ti)材料的核心之一(yi),廣泛用于制作電子器件(jian),其加(jia)工質(zhi)量和精度(du)直(zhi)接影響(xiang)到(dao)器件(jian)的性能(neng)。SiC晶體(ti)硬度(du)高,。
SiC從外表顏色如何區分其SiC含量的高低-已解決-搜搜問問
采(cai)用(yong)(yong)聲光(guang)調Q二極(ji)管泵(beng)浦Nd:YAG激(ji)光(guang)器,利用(yong)(yong)“單脈(mo)沖同點(dian)間隔多次”激(ji)光(guang)加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi),對碳化(hua)硅(gui)機械密封試(shi)樣端面進行激(ji)光(guang)表面微織構的加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)試(shi)驗研(yan)究.采(cai)用(yong)(yong)Wyko-NTll00表面。
SiC陶瓷的磨削加工工藝研究—《教育科學博覽》—2011年第12期—
共(gong)找到2754條符合-SiC的(de)(de)查詢結果(guo)。您可以(yi)在阿(a)里巴巴公司黃(huang)頁搜(sou)索到關于-SiC生產商的(de)(de)工商注冊(ce)年(nian)份、員工人數、年(nian)營業額(e)、信用記錄、相關-SiC產品的(de)(de)供求信息(xi)、交易(yi)記錄。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統
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日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統-企業新聞-首頁
金剛石多線切割設備在(zai)SiC晶片(pian)加工(gong)中的(de)應用ApplicationofMuti-DiamondWireSawtoSliceSiCCrystal查看全文下載全文導出添加到(dao)引用通知分享(xiang)到(dao)。
金剛石線鋸切割SiC的加工質量研究-《山東大學》2010年碩士論文
[圖文]2011年3月17日(ri)-SiC陶(tao)瓷與鎳基(ji)高溫合金(jin)的熱壓反應(ying)燒結連接段輝平李樹杰張永剛劉(liu)深張艷黨紫(zi)九劉(liu)登科摘要:采用Ti-Ni-Al金(jin)屬復合焊料粉末(mo),利用Gleeble。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-維普網-倉儲式在線作品
PCD刀具(ju)加工(gong)SiC顆粒增強鋁基復合材料的公道切削速度〔摘(zhai)要(yao)〕通過用掃描電鏡等方(fang)式檢測PCD刀具(ju)的性(xing)能,并與(yu)自(zi)然金剛石的相關參數進行比(bi)較,闡(chan)明了PCD刀具(ju)的優異(yi)性(xing)能。
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石墨SiC/Al復合材料(liao)壓力(li)(li)浸(jin)滲力(li)(li)學性(xing)(xing)(xing)能(neng)(neng)加(jia)工性(xing)(xing)(xing)能(neng)(neng)關鍵(jian)詞:石墨SiC/Al復合材料(liao)壓力(li)(li)浸(jin)滲力(li)(li)學性(xing)(xing)(xing)能(neng)(neng)加(jia)工性(xing)(xing)(xing)能(neng)(neng)分類號:TB331正文快照:0前言siC/。
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[圖文]2012年11月(yue)29日-為了(le)研究磨(mo)削(xue)工藝參數對SiC材料磨(mo)削(xue)質量(liang)的(de)影響(xiang)規律(lv),利用(yong)DMG銑磨(mo)加工做了(le)SiC陶(tao)瓷平面磨(mo)削(xue)工藝實驗,分析研究了(le)包(bao)括主軸轉速、磨(mo)削(xue)深(shen)度(du)、進給速度(du)在(zai)內的(de)。
金剛石多線切割設備在SiC晶片加工中的應用ApplicationofMuti-
研(yan)究方向:微(wei)(wei)(wei)納(na)(na)設(she)計與加(jia)(jia)(jia)工(gong)(gong)技術、SiCMEMS技術、微(wei)(wei)(wei)能(neng)源技術微(wei)(wei)(wei)納(na)(na)設(she)計與加(jia)(jia)(jia)工(gong)(gong)技術微(wei)(wei)(wei)納(na)(na)米加(jia)(jia)(jia)工(gong)(gong)技術:利用(yong)深(shen)刻蝕加(jia)(jia)(jia)工(gong)(gong)技術,開發(fa)出適合于大規(gui)模加(jia)(jia)(jia)工(gong)(gong)的高精度微(wei)(wei)(wei)納(na)(na)復合結。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-大眾科技-道客巴巴
[圖文]SiC晶體生長和(he)加工SiC是(shi)重要(yao)的寬禁帶(dai)半導(dao)(dao)體,具有高(gao)熱導(dao)(dao)率(lv)(lv)、高(gao)擊穿場強等(deng)特性和(he)優勢(shi),是(shi)制作高(gao)溫、高(gao)頻、大功率(lv)(lv)、高(gao)壓以及抗輻(fu)射電子器件的理想材料,在軍工、航天。
SiC是什么材料SiC是一種什么材料啊,他的加工性能怎樣樣?可以鉆孔
介(jie)(jie)簡單地介(jie)(jie)紹了(le)(le)(le)發(fa)(fa)光二極管的(de)發(fa)(fa)展歷程,概述(shu)了(le)(le)(le)LED用SiC襯底(di)的(de)超精密(mi)研磨技術的(de)現狀及發(fa)(fa)展趨(qu)勢(shi),闡述(shu)了(le)(le)(le)研磨技術的(de)原理、應用和優勢(shi)。同時結合實驗室X61930B2M-6型。
SiC陶瓷與鎳基高溫合金的熱壓反應燒結連接-加工工藝-機電之家網
2012年(nian)6月6日-磨(mo)(mo)料(liao)是用于磨(mo)(mo)削加工(gong)和制做磨(mo)(mo)具的(de)(de)一種基(ji)礎材料(liao),普(pu)通(tong)磨(mo)(mo)料(liao)種類主要有(you)剛玉和1891年(nian)美國卡不倫(lun)登公司的(de)(de)E.G艾奇(qi)遜用電(dian)阻爐人工(gong)合成并發(fa)明SiC。1893年(nian)。
PCD刀具加工SiC顆粒增強鋁基復合材料的公道切削速度_中國百科網
攪(jiao)拌摩擦(ca)加工SiC復合層對鎂合金摩擦(ca)磨損性(xing)能的(de)影(ying)響分享到:分享到QQ空間收藏推(tui)薦鎂合金是目前輕的(de)金屬結構材料,具(ju)有(you)密度低、比(bi)強(qiang)度和(he)比(bi)剛度高、阻尼減(jian)震性(xing)。
易加工儀表級SiC/Al復合材料的性能研究-《第十五屆全國復合材料
綜述了半導(dao)體材料SiC拋光(guang)技術的發展,介紹了SiC單晶片CMP技術的研(yan)究(jiu)現狀,分析(xi)了CMP的原理(li)和工藝參數對拋光(guang)的影(ying)響,指出了SiC單晶片CMP急待解決的技術和理(li)論問題,并對其。
SiC陶瓷非球面磨削工藝實驗研究-中國磨料磨具網|磨料磨具協會
2005年在國內(nei)率先完成1.3m深焦(jiao)比輕質非球(qiu)面(mian)(mian)反射鏡的(de)研(yan)(yan)究(jiu)工(gong)(gong)作,減重比達(da)到65%,加(jia)工(gong)(gong)精度優于(yu)17nmRMS;2007年研(yan)(yan)制成功(gong)1.1m傳(chuan)輸(shu)型(xing)詳查(cha)相(xiang)機SiC材料(liao)離軸非球(qiu)面(mian)(mian)主鏡,加(jia)工(gong)(gong)。
北京大學微電子學研究院
2013年2月(yue)21日(ri)-近日(ri),三菱(ling)電機宣布(bu),開發(fa)出了能夠(gou)一次(ci)將一塊多晶碳化硅(SiC)錠切割成(cheng)40片(pian)SiC晶片(pian)的(de)(de)多點(dian)放電線切割技術。據悉,該技術有望(wang)提高SiC晶片(pian)加(jia)工的(de)(de)生產效率,。
SiC晶體生長和加工
加工(gong)圓孔(kong)孔(kong)徑(jing)范圍:200微(wei)米—1500微(wei)米;孔(kong)徑(jing)精度(du):≤2%孔(kong)徑(jing);深(shen)寬/孔(kong)徑(jing)比:≥20:1(3)飛秒激(ji)光數控機床的微(wei)孔(kong)加工(gong)工(gong)藝:解(jie)決戰略型CMC-SiC耐高溫材料微(wei)孔(kong)(直徑(jing)1mm。
LED用SiC襯底的超精密研磨技術現狀與發展趨勢Situationand
衛(wei)輝市(shi)車船(chuan)(chuan)(chuan)機電(dian)有(you)限公(gong)司(si)(si)csic衛(wei)輝市(shi)車船(chuan)(chuan)(chuan)機電(dian)有(you)限公(gong)司(si)(si)是(shi)中國(guo)船(chuan)(chuan)(chuan)舶(bo)重工集團公(gong)司(si)(si)聯營是(shi)否提供加(jia)工/定制服務:是(shi)公(gong)司(si)(si)成立時(shi)間:1998年公(gong)司(si)(si)注冊地:河南(nan)/。
關于磨料用途與深加工方面的分析和探討-磨料用途,棕剛玉,碳化硅-
[圖文]激光(guang)加(jia)工激光(guang)熔(rong)覆(fu)陶(tao)瓷涂層耐腐(fu)蝕(shi)(shi)性極(ji)化曲線關鍵字:激光(guang)加(jia)工激光(guang)熔(rong)覆(fu)陶(tao)瓷涂層耐腐(fu)蝕(shi)(shi)性極(ji)化曲線采用激光(guang)熔(rong)覆(fu)技術,在45鋼表面對含量不同的SiC(質(zhi)量。
攪拌摩擦加工SiC復合層對鎂合金摩擦磨損性能的影響-《熱加工工藝
●自(zi)行研發了SiC晶片加工(gong)工(gong)藝:選取(qu)適(shi)當種類(lei)、粒度、級配的(de)(de)磨(mo)(mo)料和(he)加工(gong)設備來切割、研磨(mo)(mo)、拋光、清洗(xi)和(he)封裝的(de)(de)工(gong)藝,使產品達到了“即開(kai)即用”的(de)(de)水準。圖7:SiC晶片。
SiC單晶片CMP超精密加工技術現狀與趨勢Situationand
離軸非(fei)球(qiu)面(mian)SiC反射鏡的精密(mi)銑(xian)磨加工(gong)技術,張(zhang)志宇;李銳鋼;鄭立功;張(zhang)學軍(jun);-機械(xie)工(gong)程學報(bao)2013年第(di)17期在線閱讀、文章下載。<正;0前言(yan)1環繞地球(qiu)軌道(dao)運行的空(kong)間。
高精度非球面組件先進制造技術--中國科學院光學系統先進制造
2011年10月25日-加工電(dian)流(liu)非(fei)常(chang)小,Ie=1A,加工電(dian)壓為170V時,SiC是加工的(de),當Ti=500μs時,Vw=0.6mm3/min。另外,Iwanek還得出了“臨界電(dian)火花加工限制”。
三菱電機研制出多點放電線切割機-中國工業電器網
經營范(fan)圍(wei):陶(tao)(tao)(tao)(tao)瓷(ci)軸(zhou)承;陶(tao)(tao)(tao)(tao)瓷(ci)噴(pen)嘴;sic密封(feng)件(jian);陶(tao)(tao)(tao)(tao)瓷(ci)球;sic軸(zhou)套(tao);陶(tao)(tao)(tao)(tao)瓷(ci)生產加(jia)工機械;軸(zhou)承;機械零部件(jian)加(jia)工;密封(feng)件(jian);陶(tao)(tao)(tao)(tao)瓷(ci)加(jia)工;噴(pen)嘴;噴(pen)頭;行(xing)業類別:計算機產品(pin)。
“數控機床與基礎制造裝備”科技重大專項2013年度課題申報
因(yin)此,本文對(dui)IAD-Si膜層的(de)微觀結構(gou)、表面(mian)形(xing)貌及(ji)抗(kang)熱振(zhen)蕩性能進行了研究(jiu),這(zhe)不僅(jin)對(dui)IAD-Si表面(mian)加工具有指導(dao)意(yi)義(yi),也(ye)能進一(yi)步證明RB-SiC反射鏡表面(mian)IAD-Si改性技術的(de)。