碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期
陶瓷(ci)材料等離(li)子發(fa)射光譜(pu)法微(wei)量雜(za)質元(yuan)素測定微(wei)電(dian)子工業發(fa)動機雜(za)質分析高溫技術聚變裝(zhuang)置微(wei)量元(yuan)素。
碳化硅微粉中的雜質太多怎么處理_百度知道
如碲化(hua)(hua)鉛(PbTe)、砷(shen)化(hua)(hua)銦(InAs)、硫(liu)化(hua)(hua)鉛(PbS)、碳化(hua)(hua)硅(gui)(SiC)等。與金屬材料不同,半(ban)導體中雜質含(han)量和外界條件的改變(bian)(如溫度變(bian)化(hua)(hua)、受光照射等),都會使半(ban)導體的。
碳化硅_百度百科
怎樣去除碳化硅制品中的(de)雜(za)質(zhi)沒有任何一件事物是(shi)沒有雜(za)質(zhi)的(de),即便(bian)是(shi)很多化學原料或者(zhe)經過多重步(bu)驟產生的(de)高科技產品,所以,目前市(shi)場上出現的(de)碳化硅產品也有很多雜(za)質(zhi)。但是(shi)。
碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經
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怎樣去除碳化硅制品中的雜質-新聞動態-淄博中晶碳素有限公司
本發明涉及一種應用X射線熒光(guang)光(guang)譜法檢(jian)測碳化硅(gui)雜質含量(liang)的(de)方法,其步驟(zou)如下:1、制(zhi)備測試樣片;2、制(zhi)備標(biao)準樣片:①提(ti)純(chun)碳化硅(gui)的(de)制(zhi)樣;②碳化硅(gui)提(ti)純(chun),制(zhi)備出(chu)純(chun)品(pin)碳化硅(gui);③。
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現在(zai)的原料主要成(cheng)分是硅和碳化硅的混(hun)合物,里面含有少量鐵(tie)雜質,怎樣除(chu)去(qu)鐵(tie),請各位賜教,謝謝。
應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國
2012年(nian)12月(yue)28日-碳化硅晶(jing)體中(zhong)的雜質是(shi):鐵、鋁、鈣、鎂、硅等的氧化物和碳化物,以及(ji)它們(men)的共(gong)熔物。這些雜質在冶煉爐(lu)熱(re)動力條(tiao)件(jian)下,溫度(du)在2100——2200℃時被蒸發排。
如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-
[24]β-碳化(hua)硅(gui)(gui)因其相較(jiao)α-碳化(hua)硅(gui)(gui)擁有更高的(de)比(bi)表(biao)面(mian)積,所以可用于非均相催化(hua)劑(ji)的(de)負載體。純的(de)碳化(hua)硅(gui)(gui)是無(wu)色的(de),工業用碳化(hua)硅(gui)(gui)由于含有鐵等雜(za)質而呈(cheng)現棕(zong)色黑色晶(jing)體。
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碳化硅-維基百科,自由的百科全書
導熱(re)率:碳(tan)化硅(gui)制品的導熱(re)率非(fei)常(chang)(chang)非(fei)常(chang)(chang)高(gao),熱(re)膨脹參數小巧(qiao),抗熱(re)震性(xing)非(fei)常(chang)(chang)非(fei)常(chang)(chang)高(gao),是(shi)優質的耐火材(cai)料。3、電學屬性(xing)恒溫(wen)下工業碳(tan)化硅(gui)是(shi)一種(zhong)半導體,屬雜質導電性(xing)。高(gao)純度。
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碳化硅雜質對石墨加熱棒溫度場的影響數值模擬研究_百度文庫
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碳化硅的特性和根本機能
碳化硅(gui)中雜質的(de)(de)形態-碳化硅(gui)中雜質的(de)(de)形態碳化硅(gui)的(de)(de)研(yan)發成(cheng)功并很好(hao)的(de)(de)利用是市(shi)場發展過程中的(de)(de)一大(da)進步點(dian),特別(bie)是對(dui)于(yu)1893年艾(ai)奇遜的(de)(de)發明為(wei)引子,由(you)此推(tui)出的(de)(de)國內由(you)趙廣和。
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2011年6月(yue)14日-碳化硅在現(xian)代工業生產中的(de)(de)應(ying)用范圍比較廣泛,比較為人們所了解(jie)的(de)(de)是應(ying)用于(yu)磨(mo)料、磨(mo)具領域。但是隨著科學技術的(de)(de)進(jin)步,人們對碳化硅的(de)(de)認(ren)識也逐漸深入,由此開(kai)發(fa)。
綠色碳化硅硬度高,雜質少硅含量98.5優質碳化硅材料價格,
碳化(hua)(hua)硅(SiC)是用石(shi)英砂、石(shi)油(you)焦(jiao)(jiao)(或(huo)煤焦(jiao)(jiao))、木屑為原料通過電阻爐高溫冶(ye)煉而成。碳化(hua)(hua)硅在大自(zi)然也存在罕見的礦物,莫桑(sang)石(shi)。碳化(hua)(hua)硅又稱<a。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴
碳化(hua)硅(gui);物(wu)(wu)理(li)性(xing)質性(xing)狀:綠(lv)色(se)(se)藍(lan)(lan)黑(hei)(hei)色(se)(se)結(jie)晶性(xing)粉(fen)(fen)末.含(han)雜(za)質的碳化(hua)硅(gui)為綠(lv)色(se)(se),固性(xing)狀:綠(lv)色(se)(se)藍(lan)(lan)黑(hei)(hei)色(se)(se)結(jie)晶性(xing)粉(fen)(fen)末.含(han)雜(za)質的碳化(hua)硅(gui)為綠(lv)色(se)(se),固溶有炭和(he)金屬(shu)氧化(hua)物(wu)(wu)雜(za)質呈黑(hei)(hei)色(se)(se)。密。
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2013年4月24日-碳(tan)化硅俗稱金剛(gang)石,又稱碳(tan)硅石,主要用作耐磨材料,耐火材料,核反(fan)應(ying)堆(dui)材料及制造電(dian)阻發(fa)熱硅碳(tan)棒(bang)(管),半導體元件(jian),C二級管,晶(jing)體管,電(dian)器元件(jian),火箭噴管等。
加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅
產(chan)業領域:新能(neng)源光伏需(xu)求類(lei)型:技術服務需(xu)求編號:189-07制粉是碳(tan)(tan)化(hua)硅微粉生產(chan)中(zhong)的重(zhong)要(yao)工(gong)序,但(dan)由于碳(tan)(tan)化(hua)硅的硬度較高,其(qi)莫氏(shi)硬度為9.5級,在(zai)莫氏(shi)硬度標準中(zhong)僅低(di)于金剛石。
碳化硅-搜搜百科
本文采用(yong)ICP-MS法對高純碳化硅粉表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種(zhong)痕量雜質進行測定,用(yong)氫氟(fu)酸溶(rong)液浸(jin)提試樣(yang)表面雜質,用(yong)釔做內標補償。
碳化硅|化合物-查字典
一(yi)種無TiC雜質相的碳化(hua)硅鈦陶瓷(ci)粉體(ti)的合(he)成(cheng)方(fang)法,其特征在于:(1)以Ti粉、Si粉和TiC本發明公(gong)開了一(yi)種低成(cheng)本無TiC雜質相的碳化(hua)硅鈦陶瓷(ci)粉體(ti)的常壓合(he)成(cheng)方(fang)法,。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-
臨沂市金蒙(meng)碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)有限(xian)公司是一家擁有國內(nei)先進的碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)微(wei)粉(fen),黑碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui),綠碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui),綠碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)微(wei)粉(fen),黑碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)微(wei)粉(fen),碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)粒度砂(sha),生產線和工藝技(ji)術,服務熱線:400-6291-618。
碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司
2008年5月9日-碳化(hua)硅電力電子器(qi)件研發進(jin)展與(yu)存(cun)在問(wen)題,1引言(yan)借助于(yu)微(wei)電子技術(shu)的長(chang)足發展,以硅器(qi)件為基礎的電力電子技術(shu)因(yin)大功率(lv)(lv)場效應晶(jing)體管(功率(lv)(lv)MOS)和絕(jue)緣柵雙極(ji)晶(jing)體。
要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸
1、游(you)離(li)(li)硅。它一(yi)部(bu)分溶解于SiC晶(jing)體中,一(yi)部(bu)分與其(qi)雜質(如(ru)鐵、鋁、鈣等)形成合金而粘(zhan)附于晶(jing)體上(shang)或嵌(qian)在晶(jing)體中。2、游(you)離(li)(li)二氧化硅。通常(chang)存在于晶(jing)體表面(mian)。大都是(shi)由于。
請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧
對(dui)SiC中基態(tai)施主(zhu)能級(ji)分裂對(dui)雜質(zhi)電(dian)離的(de)影響,與溫度(du)、摻(chan)雜濃(nong)度(du)和雜質(zhi)能級(ji)深度(du)的(de)關系進行了系統研究。發現只有在高(gao)溫且摻(chan)雜濃(nong)度(du)低的(de)情況下(xia),能級(ji)分裂的(de)影響很小可忽略不(bu)計。
(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法
氮化(hua)硅結(jie)合碳化(hua)硅材(cai)料反應燒結(jie)時的雜質相(xiang)行為(wei)分析,郝小勇;-陶瓷(ci)工程1998年第03期在線閱讀、文章下載。<正;l前言Si3N4結(jie)合SIC材(cai)料的研究(jiu)近年來在國(guo)內發展較快,該。
ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace
分(fen)析了Si3N4結(jie)合Si3C材(cai)料(liao)(liao)反(fan)應燒結(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜(za)質相的(de)反(fan)應行(xing)為(wei)。氮化硅結(jie)合碳化硅材(cai)料(liao)(liao)反(fan)應燒結(jie)時的(de)雜(za)質相行(xing)為(wei)分(fen)析前言:分(fen)析了Si3N4結(jie)合Si3C材(cai)料(liao)(liao)。
碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)
[圖文]目前,國內使用的切割液和碳(tan)化硅(gui)微(wei)粉(fen)在線切割過(guo)程中(zhong)(zhong),砂(sha)漿中(zhong)(zhong)不可(ke)避免的會(hui)混入(ru)硅(gui)粉(fen)、鐵、高(gao)聚物(wu)等(deng)雜質,部分碳(tan)化硅(gui)微(wei)粉(fen)也會(hui)因(yin)切割作(zuo)用而(er)出現(xian)破損,產生(sheng)的廢砂(sha)漿很(hen)難繼續。
一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼
氮化硅結合碳化硅材料(liao)反(fan)應燒結時的雜質(zhi)相(xiang)行為分(fen)析-分(fen)析了Si3N4結合Si3C材料(liao)反(fan)應燒結時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質(zhi)相(xiang)的反(fan)應行為。
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碳化硅質泡(pao)沫(mo)(mo)陶(tao)瓷(ci)(ci)過濾(lv)(lv)片,去孔,濾(lv)(lv)渣(zha),吸附雜(za)質泡(pao)沫(mo)(mo)陶(tao)瓷(ci)(ci)過濾(lv)(lv)片簡(jian)介泡(pao)沫(mo)(mo)陶(tao)瓷(ci)(ci)過濾(lv)(lv)器的過濾(lv)(lv)機理:整流作用:在澆鑄系(xi)統(tong)中放置泡(pao)沫(mo)(mo)陶(tao)瓷(ci)(ci)過濾(lv)(lv)片后,金屬液流阻力(li)增大(da),。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
淄博鑄泰碳素有限(xian)公(gong)司碳化(hua)硅簡(jian)介:碳化(hua)硅英(ying)文名稱(cheng)(cheng):siliconcarbide,俗稱(cheng)(cheng)金剛砂。純碳化(hua)硅是無色透明的晶體(ti)。工業碳化(hua)硅因(yin)所含雜質的種類和含量不同,而呈淺黃、綠、藍。