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2008年1月25日-碳化(hua)硅制造過程產生(sheng)粉塵的作(zuo)業(ye)(ye)(ye)點較多。粉塵的作(zuo)業(ye)(ye)(ye)點是冶(ye)煉(lian)干法(fa)扒(ba)料(liao),焦炭加工(gong)(gong)及(ji)制粒工(gong)(gong)序取密閉除塵方法(fa),裝爐(lu)工(gong)(gong)序采取濕料(liao)作(zuo)業(ye)(ye)(ye)方法(fa),獲得了極。

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本發明提供一種(zhong)碳(tan)化(hua)硅單(dan)(dan)晶的制造方法,在(zai)(zai)使(shi)碳(tan)化(hua)硅單(dan)(dan)晶在(zai)(zai)單(dan)(dan)晶基板(ban)上外延(yan)生(sheng)長時,能夠減少在(zai)(zai)碳(tan)化(hua)硅單(dan)(dan)晶內(nei)產生(sheng)的表(biao)面缺陷。該方法是在(zai)(zai)單(dan)(dan)晶基板(ban)(1)的表(biao)面使(shi)碳(tan)化(hua)硅單(dan)(dan)晶層外延(yan)。

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摘要(yao):介紹(shao)了采用振動加壓成型制作碳化(hua)硅(gui)塔(ta)盤的生(sheng)產工(gong)藝、技術條件及生(sheng)產實踐。6周杰倫;復合碳化(hua)硅(gui)質窯爐燒嘴制作的工(gong)藝流程(cheng)[N];廣東建設(she)報;2002年(nian)7肖。

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具有(you)加工(gong)成本(ben)低(di),無開口氣孔、耐(nai)化學腐(fu)蝕的特點,由(you)于在燒成過程中碳化硅(gui)的,增(zeng)加004制造晶片用的碳化硅(gui)舟的切割制造方法(fa)3003一種(zhong)制備碳化硅(gui)纖維或(huo)織物(wu)的方法(fa)。

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(1)一種(zhong)碳(tan)化(hua)(hua)硅襯底(di)的(de)(de)(de)制(zhi)造方法,該方法是將碳(tan)原(yuan)子和硅原(yuan)子供給(gei)碳(tan)化(hua)(hua)硅襯底(di)的(de)(de)(de)表面上來(lai)使碳(tan)化(hua)(hua)硅晶體生長(chang)的(de)(de)(de)碳(tan)化(hua)(hua)硅襯底(di)的(de)(de)(de)制(zhi)造方法,其(qi)特(te)征(zheng)在于:上述(shu)碳(tan)化(hua)(hua)硅晶體的(de)(de)(de)生長(chang)開始前的(de)(de)(de)。

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2011年10月(yue)18日-為(wei)了說明振(zhen)動(dong)篩在實(shi)際操作中的(de)應用(yong),特舉其在碳化硅微粉(fen)生(sheng)產(chan)工藝中的(de)應用(yong)為(wei)例。振(zhen)動(dong)篩在這一過程中所起的(de)作用(yong):1、篩分(fen):篩分(fen)是(shi)把(ba)顆粒、粉(fen)末分(fen)成。

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本套《硅碳棒生產方(fang)(fang)法(fa),硅碳材(cai)料加工,碳化硅制造工藝技術》均(jun)為原版全文(wen)說(shuo)明書;其(qi)中發明含詳細(xi)的材(cai)料配方(fang)(fang)、生產方(fang)(fang)法(fa)、制作步(bu)驟等(deng),實用新型(xing)以(yi)設備工藝。

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017新(xin)型聚碳(tan)(tan)硅烷組合物(wu)其(qi)制(zhi)法以及在碳(tan)(tan)化(hua)硅為基(ji)礎的產品(pin)和陶瓷制(zhi)品(pin)生產過程(cheng)中的102用于清洗碳(tan)(tan)化(hua)硅顆粒的方法133一(yi)種高耐溫性碳(tan)(tan)化(hua)硅纖維的制(zhi)造方法115逆反應。

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2008年(nian)11月20日-新(xin)(xin)疆龍(long)海新(xin)(xin)型碳化(hua)硅(gui)制造工藝通過驗(yan)收(shou)2008年(nian)112007年(nian)以(yi)前,公(gong)司(si)在冶煉碳化(hua)硅(gui)過程往往會(hui)發生爐床(chuang)透氣性不好、影響(xiang)產量等。

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共(gong)找到(dao)2000條(tiao)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)制(zhi)品制(zhi)作工藝探供應信息,以下是第1到(dao)20條(tiao):碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)微粉(fen)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)制(zhi)品碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)微粉(fen)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)制(zhi)品綠碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)微粉(fen)用于(yu)單晶(jing)硅(gui)(gui)、多晶(jing)硅(gui)(gui)。

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2012年6月25日(ri)-我(wo)廠隸屬冶金工業(ye)部,由硅(gui)(gui)碳棒(bang)制(zhi)造(zao)廠、硅(gui)(gui)碳棒(bang)技(ji)術開(kai)發研究(jiu)所、工業(ye)陶瓷廠和碳化(hua)硅(gui)(gui)制(zhi)品廠組合(he)而成,是國家指定的硅(gui)(gui)碳棒(bang)生(sheng)產廠家。具有碳化(hua)硅(gui)(gui)保(bao)護管熱電偶。

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2013年3月19日-1009CN200810195186.5一種制(zhi)作基本上沒有臺階1024CN200780015978.3鋁(lv)-碳(tan)化硅(gui)質復合體及其加工4額定值(zhi)法(fa)控制(zhi)碳(tan)化硅(gui)冶煉(lian)爐系統(tong)生產(chan)過程的節電。

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買家評(ping)價(jia)(jia)(jia)(0)評(ping)價(jia)(jia)(jia)評(ping)價(jia)(jia)(jia)人還沒有買家對碳化(hua)硅與氮化(hua)鎵間的緩沖(chong)結(jie)構及由(you)此得到(dao)的半導制(zhi)作氮化(hua)鎵加(jia)工流程進行(xing)評(ping)價(jia)(jia)(jia)。

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機(ji)械攪(jiao)拌(ban)和真空旋(xuan)轉蒸(zheng)發(fa)等過程,將銅均勻、致密地包裹(guo)到碳化硅顆粒表面,從而獲得首先根據制件(jian)實際要求,設(she)計(ji)及加工(gong)聚(ju)乙(yi)烯泡沫模具(ju),把(ba)酚醛(quan)樹脂(zhi)混合(he)物澆(jiao)注到模具(ju)中,。

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生(sheng)長碳化(hua)硅(gui)加工制(zhi)造遷移性的(de)(de)碳化(hua)硅(gui)使用(yong)碳化(hua)硅(gui)碳化(hua)硅(gui)薄(bo)類(lei)技術舉報此商(shang)品商(shang)品主本發(fa)明制(zhi)備(bei)出的(de)(de)SiC納米纖維的(de)(de)主要晶相為結(jie)晶程(cheng)度(du)較高的(de)(de)β-SiC,由于在生(sheng)長過程(cheng)中。

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2007年7月(yue)6日-然后用(yong)F46含氟塑(su)料等(deng)進(jin)行密封(feng)絕緣加工.該電有耐高溫(250℃)抗腐能(neng)力(li)的(de)(de)碳(tan)化硅電極的(de)(de)材料的(de)(de)選擇,以及不銹鋼(gang)指示電極和碳(tan)化硅參(can)比電極的(de)(de)制作工藝,。

碳化硅與氮化鎵間的緩沖結構及由此得到的半導制作氮化鎵加工流程

2013年3月19日(ri)-CN201110121351.4一種刻(ke)面碳化硅(gui)寶石成品的加工545CN201010156398.X碳化硅(gui)基復合襯(chen)底及其制造方法802CN201020615210.9碳化硅(gui)非線(xian)性(xing)電阻滅磁過(guo)程中(zhong)。

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公司將致力于不斷提(ti)高碳化硅晶(jing)體的(de)質量(liang),以(yi)及大尺寸碳化硅晶(jing)體的(de)研發,將進的(de)碳化硅晶(jing)體生(sheng)長和(he)加工技(ji)術產(chan)業(ye)化,大規模生(sheng)產(chan)和(he)銷售具有(you)自主知識(shi)產(chan)權的(de)碳化硅晶(jing)片,促(cu)進。

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椅企(qi)業,我以(yi)前沒(mei)做過這方(fang)面的工(gong)作,想了解一下鋼管(guan)折疊椅制作工(gong)藝及制造流程(cheng)344碳化(hua)硅陶(tao)瓷和金剛石復合拉拔模(mo)具(ju)制備方(fang)法(fa)345一種(zhong)醫用鎂合金細徑(jing)薄壁(bi)管(guan)材的溫態。

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的全(quan)過程,機械加(jia)工(gong)(gong)(gong)(gong)工(gong)(gong)(gong)(gong)藝流(liu)程是工(gong)(gong)(gong)(gong)件(jian)或者零件(jian)制(zhi)造(zao)加(jia)工(gong)(gong)(gong)(gong)的步驟,采用機械加(jia)工(gong)(gong)(gong)(gong)的方法,同時由(you)于生(sheng)產(chan)效(xiao)率高得多,如果使用得當,一塊(kuai)可頂數十塊(kuai)甚(shen)上百(bai)塊(kuai)碳化硅砂輪。

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的輪盤上(shang),以(yi)腳、手(shou)撥(bo)動,借輪盤旋轉力(li)量制作各種圓形的陶(tao)瓷器物或(huo)對陶(tao)器進行加工明燒時把(ba)陶(tao)、瓷坯放在碳化硅板或(huo)莫(mo)來石板上(shang),用支柱(狗腳)作支撐(cheng),一層(ceng)一層(ceng)。

亞太區碳化硅晶片生產制造先行者

4在用于半導體(ti)器件的硅或碳化硅上形成(cheng)厚氧(yang)化物(wu)的工(gong)藝[技術摘要(yao)]通過使(shi)淀積在53低(di)溫高硅炻瓷及其制作工(gong)藝54加熱(re)接著型硅膠散熱(re)片及加工(gong)其的工(gong)藝流程(cheng)55一。

鋼管折疊椅制作工藝及制造流程-已回答-搜搜問問

隨后關(guan)掉電(dian)源自(zi)然降溫,整個過程通氬氣保護,在材料表面有一層產物,即為碳化硅納米用于檢測在半導體加工(gong)系統(tong)中的氟或鹵素物質的涂鎳自(zi)立式碳化硅結構及其制造和。

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[圖文]2011年(nian)8月21日-近幾年(nian)人們制(zhi)造(zao)LED芯片(pian)過程中(zhong)首(shou)先(xian)在(zai)襯底上(shang)制(zhi)作氮化??(GaN)基的外(wai)延片(pian)(外(wai)延片(pian)),外(wai)延片(pian)所需的材料源(yuan)(碳化硅SiC)和各種高純的氣(qi)體如氫氣(qi)H2或(huo)?迤?Ar。

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2005年(nian)6月12日-制造(zao)加工供求(qiu)(qiu)區元器件供求(qiu)(qiu)區其他服(fu)務(wu)供求(qiu)(qiu)區行(xing)業QQ群專(zhuan)版足行(xing)天(tian)下以及可靠性等問題(ti)仍對其商(shang)品化(hua)有(you)所限制,但碳化(hua)硅器件替代硅器件的過程已經。

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從事生產無機非(fei)金(jin)屬(shu)材料(liao)及其制(zhi)品(pin)的(de)公司(si),其主要產品(pin)有碳(tan)(tan)化硅微粉、碳(tan)(tan)化硅制(zhi)品(pin)、碳(tan)(tan)化并(bing)承接各種燒結爐的(de)制(zhi)作、加(jia)工、維(wei)修(xiu)、服務。為省、市級高新技(ji)術企業,并(bing)擁(yong)有自(zi)營(ying)。

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2012年7月26日-中常用的(de)四種反射鏡(jing)鏡(jing)體材料———ULE,Zerodur,鈹(Be)和碳化(hua)硅(Sic)的(de)在制造(zao)和加工過程中,為了防止毒性給人(ren)帶來的(de)影響,需要采(cai)取一系列的(de)防護(hu)。

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3、按作業(ye)(ye)指導書及相應流程對(dui)待(dai)檢(jian)(jian)樣品進行檢(jian)(jian)驗、清(qing)理,檢(jian)(jian)驗前以及檢(jian)(jian)驗過程中認真臨沂市金(jin)蒙碳化硅(gui)有限(xian)公(gong)司(si)公(gong)司(si)類型:民(min)營企業(ye)(ye)所屬行業(ye)(ye):加工制(zhi)造(zao)(原料加工/。

碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題-工藝整合-半導體技術

常(chang)用的襯底主要有(you)藍寶石(shi)、碳化硅和硅襯底,還有(you)GaAs、AlN、ZnO等材料。MOCVD是(shi)主要因素(su)表現為:制造過(guo)程中作業加工程序(xu)動作不優化,可省略、替代、重(zhong)組或合并的。

碳化硅制品碳化硼制品。并承接各種燒結爐的制作加工維修

電極制作設備:光刻機(ji)(ji)、刻蝕機(ji)(ji)、離(li)子注入(ru)機(ji)(ji)等。襯(chen)(chen)底(di)加工(gong)設備:減薄機(ji)(ji)、劃片機(ji)(ji)4、藍寶石襯(chen)(chen)底(di)與碳化硅襯(chen)(chen)底(di)的(de)LED芯片4、三(san)種襯(chen)(chen)底(di)的(de)性(xing)能比較(jiao)三(san)、LED外延片的(de)。

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2013年(nian)4月16日-輥(gun)道窯用碳(tan)化(hua)硅輥(gun)棒及其制(zhi)造方法,它是由碳(tan)化(hua)硅、氧化(hua)硅、氧化(hua)鋁(lv)、氧化(hua)鎂、工業漿糊、黃(huang)糊精為原料,采用冷擠制(zhi),冷等(deng)靜壓,高溫燒成。所述的碳(tan)化(hua)硅輥(gun)。

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